Με τη διαδικασία κατασκευής 5nm να έχει φτάσει στο τέλος της τεχνολογικά, οι δυο μεγάλοι κατασκευαστές, Samsung και TSMC, στρέφουν την προσοχή τους στη διαδικασία των 3nm. Για τη Samsung, η μαζική παραγωγή 3nm θα έπρεπε να ξεκινήσει το 2021. Ωστόσο, οι τελευταίες αναφορές δείχνουν ότι αυτό το χρονοδιάγραμμα δεν είναι πλέον εφικτό. Το πιο ρεαλιστικό χρονοδιάγραμμα για τη μαζική παραγωγή 3nm είναι τώρα το 2022. Σύμφωνα με πηγές της βιομηχανίας, η διαδικασία των 3nm της Samsung ίσως χρειαστεί λίγο ακόμα. Ο κύριος λόγος για την καθυστέρηση είναι προφανώς η πανδημία του Covid-19.
Η πανδημία έχει επηρεάσει τις υπηρεσίες εφοδιασμού και μεταφορών, με αποτέλεσμα την καθυστέρηση στην παράδοση μηχανημάτων ακραίας υπεριώδους λιθογραφίας. Επίσης καθυστερεί επιπλέον σημαντικός εξοπλισμός παραγωγής για τη διαδικασία 3nm. Αυτό, με τη σειρά του, έχει επίπτωση στον χρόνο εκκίνησης της μαζικής παραγωγής. Μέχρι στιγμής, δεν είναι σαφές εάν η διαδικασία των 3nm των ανταγωνιστών της Samsung θα ακολουθήσει το αρχικό πρόγραμμά τους. Εάν οι ανταγωνιστές προχωρήσουν κανονικά, τα πράγματα θα είναι άσχημα για τη Samsung.
Η ASML είναι ο μοναδικός κατασκευαστής στον κόσμο που μπορεί να παράγει μηχανές ακραίας υπεριώδους λιθογραφίας. Η εταιρεία έχει μειώσει προηγουμένως την πρόβλεψη απόδοσης της για το πρώτο τρίμηνο του τρέχοντος έτους. Η μείωση έφτασε από τα 3,1 έως 3,3 δισεκατομμύρια ευρώ σε 2,3 – 2,4 δισεκατομμύρια ευρώ. Η μείωση των προσδοκιών απόδοσης του πρώτου τριμήνου οφείλεται κυρίως στην επίδραση της επιδημίας. Επίσης, άλλοι λόγοι περιλαμβάνουν καθυστερήσεις στην παράδοση μηχανών λιθογραφίας, καθώς ορισμένοι κατασκευαστές ανησυχούν σχετικά με τις δυνατότητες παράδοσης των. Προκειμένου να επιταχυνθεί η διαδικασία παράδοσης, ορισμένοι κατασκευαστές απαιτούν ακόμη και την παράδοση τους πριν ολοκληρώσουν την κατασκευή του εργοστασίου.
Σύμφωνα με προηγούμενες αναφορές, η διαδικασία των 3nm της Samsung θα χρησιμοποιήσει τεχνολογία τρανζίστορ surround gate (GAAFET). Πρόκειται για μια εντελώς διαφορετική τεχνολογία από τα τρανζίστορ φαινομένου πεδίου (FinFET) στις διεργασίες 7nm και 5nm. Το τσιπ 3nm της Samsung αναμένεται να βελτιώσει την απόδοση κατά 33% σε σχέση με τη διαδικασία των 5nm.
Ακολουθήστε το Gizchina Greece στο Google News για να μαθαίνετε πρώτοι και άμεσα, όλα τα τεχνολογικά νέα! Αν ψάχνετε HOT προσφορές, κάντε εγγραφή στο κανάλι μας στο Telegram!
