Η Samsung Electronics, παγκόσμιος ηγέτης στις τεχνολογίες αποθήκευσης, έχει ξεκινήσει την μαζική παραγωγή τσιπ στα 512GB eUFS 3.1 που έχουν σχεδιαστεί για smartphone. Είναι ικανά για 3 φορές την απόδοση διαδοχικής εγγραφής και 1,6 φορές την τυχαία ανάγνωση σε σχέση με της προηγούμενης γενιάς μνήμη eUFS 3.0.
Το νέο chip σηματοδοτεί την πρώτη φορά που ένα τσιπ αποθήκευσης κινητού θα σπάσει το όριο των 1GB / s. Με διαδοχική ταχύτητα εγγραφής άνω των 1.200MB / s, το τσιπ είναι ικανό να ξεπερνά κατά δέκα φορές τις ταχύτητες εγγραφής μίας κάρτας UHS-I microSD (90MB / s). Η τυχαία απόδοση έχει αυξηθεί πολύ, φτάνοντας τα 100.000 IOPS στο διάβασμα και 70.000 IOPS στην εγγραφή. Η Samsung διαθέτει επίσης και χωρητικότητες 256GB και 128GB για smartphone που θα κυκλοφορήσει αργότερα μέσα στο έτος.
Σχολιάζοντας την έναρξη της παραγωγής, ο Cheol Choi, εκτελεστικός αντιπρόεδρος τμήματος πωλήσεων μνήμης & μάρκετινγκ στη Samsung Electronics δήλωσε:
Με την εισαγωγή ενός ταχύτερου αποθηκευτικού μέσου για κινητά, οι χρήστες smartphone δεν θα πρέπει πλέον να ανησυχούν για το πρόβλημα της καθυστέρησης που αντιμετωπίζουν με τις συμβατικές κάρτες αποθήκευσης. Η νέα μνήμη αποθήκευσης eUFS 3.1 αντικατοπτρίζει τη συνεχή δέσμευσή μας να υποστηρίξουμε τις συνεχώς αυξανόμενες απαιτήσεις από τους κατασκευαστές smartphone φέτος.
Ακολουθήστε το Gizchina Greece στο Google News για να μαθαίνετε πρώτοι και άμεσα, όλα τα τεχνολογικά νέα! Αν ψάχνετε HOT προσφορές, κάντε εγγραφή στο κανάλι μας στο Telegram!
