Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα ότι ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή του πρώτου παγκοσμίως 16GB LPDDR5 DRAM chip για τα νέας γενιάς mobile smartphones. Το νέο chip μνήμης RAM έρχεται μετά την πρώτη μαζική παραγωγή των 12GB LPDDR5 DRAM τον Ιούλιο του 2019.

Samsung

Η νέα RAM έρχεται με τις ακόλουθες βελτιώσεις:

 

  • Προσφέρει μεταφορά δεδομένων 5.500 megabits ανά δευτερόλεπτο (Mb/s), περίπου 1,3 φορές ταχύτερα από την προηγούμενης γενιάς μνήμη LPDDR4X (4266 Mb/s).
  • Αποτελείται από οκτώ τσιπ των 12 Gigabit και τέσσερα τσιπ των 8Gb, εξοπλίζοντας τα premium smartphones με διπλάσια χωρητικότητα DRAM από αυτή που βρίσκουμε σε πολλά σημερινά laptop και υπολογιστές υψηλής τεχνολογίας.
  • Σε σύγκριση με μια 8GB LPDDR4X, η νέα DRAM κινητών τηλεφώνων προσφέρει εξοικονόμηση ενέργειας άνω του 20% ενώ παράλληλα παρέχει διπλάσια χωρητικότητα.

Σε σχετική της ανακοίνωση η εταιρεία σημειώνει:

“Καθώς η Samsung συνεχίζει να επεκτείνει την παραγωγή DRAM κινητών συσκευών LPDDR5 στον εργοστάσιο της Pyeongtaek, η εταιρεία σχεδιάζει να παράγει μαζικά 16GB LPDDR5 προϊόντα με βάση την τεχνολογία επεξεργασίας 10nm (1z) τρίτης γενιάς το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους, παράλληλα με την ανάπτυξη ενός chipset των 6.400Mb/s”.

Παρόλο που δεν αναφέρεται, η 16GB LPDDR5 DRAM πρέπει να είναι αυτή που χρησιμοποιείται στο Samsung Galaxy S20 Ultra που παρουσιάστηκε νωρίτερα αυτό το μήνα.

Διαβάστε επίσης:  Galaxy S10: επίσημα βίντεο αποκαλύπτουν πολλά!

Χρονοδιάγραμμα Samsung Mobile DRAM: Παραγωγή / Μαζική Παραγωγή

Date Capacity Mobile DRAM
Dec 2019 16GB 10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s
Sep 2019 12GB (uMCP) 10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Jul 2019 12GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
Jun 2019 6GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
Feb 2019 12GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Jul 2018 8GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Apr 2018 8GB
(development)
10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
Sep 2016 8GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Aug 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
Dec 2014 4GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
Sep 2014 3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Nov 2013 3GB 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Jul 2013 3GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Apr 2013 2GB 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Aug 2012 2GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 1/2GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 512MB 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 256MB 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s
[Πηγή] :

fonearena