Βαθμολογήστε το άρθρο

Πρόσφατα εμφανίστηκαν πληροφορίες ότι η TSMC, εισήγαγε μια νέα ενισχυμένη έκδοση κατασκευής των 7nm deep-UV DUV (N7) και 5nm EUV E-UV (N5). Η μέθοδος κατασκευής N7P και N5P, είναι για πελάτες που θέλουν ολοκληρωμένα που τρέχουν γρηγορότερα και καταναλώνουν λιγότερο.

Η νέα μέθοδος χρησιμοποιεί τους ίδιους κανόνες κατασκευής του N7, για καλύτερη απόδοση του FEOL και MOL. Με αυτό τον τρόπο αυξάνεται η απόδοση κατά 7% ή η συχνότητα κατά 10%. Οι πρώτες πληροφορίες δόθηκαν από την TSMC, στο σεμινάριο VLSI στην Ιαπωνία. Η μέθοδος N7P, χρησιμοποιεί την βαθιά υπεριώδη λιθογραφία για να μειώσει την πυκνότητα τρανζίστορ σε σχέση με την προηγούμενη μέθοδο N7.

Διαβάστε επίσης:  TSMC: Στην τελική ευθεία τα chipsets διαδικασίας 5nm, έρχονται το 2020

Οι πελάτες της ταϊβανέζικης εταιρίας που θα θελήσουν υψηλότερη πυκνότητα τρανζίστορ, θα διαλέξουν την διαδικασία N6 + N7. Η N6 τεχνολογία αποτελείται από πολυεπίπεδη υπεριώδη λιθογραφία – EUV. Το επόμενο βήμα είναι το N5, που φέρνει μεγαλύτερη πυκνότητα,χαμηλότερη κατανάλωση και υψηλότερη απόδοση. Θα υπάρξει και μια ακόμα καλύτερη έκδοση, η N5P. Όπως και ποιο πάνω θα χρησιμοποιεί μεθόδους FEOL και MOL, για αύξηση της ταχύτητας του ολοκληρωμένου κατά 7% ή της συχνότητας κατά 15%.

[Πηγή] :

Gizchina