Πρόσφατα εμφανίστηκαν πληροφορίες ότι η TSMC, εισήγαγε μια νέα ενισχυμένη έκδοση κατασκευής των 7nm deep-UV DUV (N7) και 5nm EUV E-UV (N5). Η μέθοδος κατασκευής N7P και N5P, είναι για πελάτες που θέλουν ολοκληρωμένα που τρέχουν γρηγορότερα και καταναλώνουν λιγότερο.
Η νέα μέθοδος χρησιμοποιεί τους ίδιους κανόνες κατασκευής του N7, για καλύτερη απόδοση του FEOL και MOL. Με αυτό τον τρόπο αυξάνεται η απόδοση κατά 7% ή η συχνότητα κατά 10%. Οι πρώτες πληροφορίες δόθηκαν από την TSMC, στο σεμινάριο VLSI στην Ιαπωνία. Η μέθοδος N7P, χρησιμοποιεί την βαθιά υπεριώδη λιθογραφία για να μειώσει την πυκνότητα τρανζίστορ σε σχέση με την προηγούμενη μέθοδο N7.
Οι πελάτες της ταϊβανέζικης εταιρίας που θα θελήσουν υψηλότερη πυκνότητα τρανζίστορ, θα διαλέξουν την διαδικασία N6 + N7. Η N6 τεχνολογία αποτελείται από πολυεπίπεδη υπεριώδη λιθογραφία – EUV. Το επόμενο βήμα είναι το N5, που φέρνει μεγαλύτερη πυκνότητα,χαμηλότερη κατανάλωση και υψηλότερη απόδοση. Θα υπάρξει και μια ακόμα καλύτερη έκδοση, η N5P. Όπως και ποιο πάνω θα χρησιμοποιεί μεθόδους FEOL και MOL, για αύξηση της ταχύτητας του ολοκληρωμένου κατά 7% ή της συχνότητας κατά 15%.
Ακολουθήστε το Gizchina Greece στο Google News για να μαθαίνετε πρώτοι και άμεσα, όλα τα τεχνολογικά νέα! Αν ψάχνετε HOT προσφορές, κάντε εγγραφή στο κανάλι μας στο Telegram!
