Μετά τη κυκλοφορία των 12GB LPDDR4X DRAM στις αρχές του τρέχοντος έτους, η Samsung ξεκίνησε τώρα την μαζική παραγωγή των πρώτων παγκοσμίως 12 Gigabit (Gb) LPDDR5 DRAM chips για κινητές συσκευές. Η επίσημη ανακοίνωση του κορεάτη γίγαντα έγινε νωρίτερα σήμερα μέσω δελτίου τύπου που αναρτήθηκε στο επίσημο site της εταιρείας, όπου αναγγέλλει ότι ξεκίνησε να παράγει μαζικά τα νέα 12GB LPDDR5 DRAM. 
Στο δελτίο τύπου η εταιρεία περιγράφει λεπτομερώς το νέο επίτευγμα και τις τεχνικές προδιαγραφές. Η Samsung ισχυρίζεται ότι η νέα γενιά LPDDR5X RAM έχει ταχύτητες δεδομένων 5.500Mb/sec, ταχύτερη από την LPDDR4X RAM που υποστηρίζει 4266Mb/s.
“Με το πακέτο των 12GB, το LPDDR5 μπορεί να μεταφέρει 44GB δεδομένων ή περίπου 12 ταινίες Full HD (μεγέθους 3,7GB) σε μόλις ένα δευτερόλεπτο”, σημειώνει η Samsung.
Το νέας γενιάς DRAM chip χρειάζεται επίσης λιγότερη ενέργεια, με αποτέλεσμα να πετυχαίνει έως και 30% λιγότερη κατανάλωση ενέργειας. Τα νέα δομοστοιχεία θα βοηθήσουν επίσης στη καλύτερη λειτουργία των premium smartphones σε εφαρμογές τεχνολογίας αιχμής όπως τα βίντεο 5G, το AI, το UHD και τη μηχανική εκμάθηση. Φημολογείται ότι αυτή η νέα μονάδα DRAM μπορεί να εξοπλίζει μία από τις high-end παραλλαγές των επερχόμενων μοντέλων Galaxy Note 10.
Το δελτίο τύπου αναφέρει ότι η εταιρεία, προκειμένου να διαχειριστεί την παραγωγική ικανότητα με μεγαλύτερη ευελιξία, εξετάζει τη μεταφορά της παραγωγής των 12Gb LPDDR5 στην πανεπιστημιούπολη Pyeongtaek (Κορέα) από το επόμενο έτος, ανάλογα με τη ζήτηση των πελατών. Μετά την εισαγωγή της 12Gb LPDDR5 DRAM, η Samsung αναμένει επίσης να αναπτύξει ένα 16Gb LPDDR5 chip το επόμενο έτος, για να εδραιώσει το ανταγωνιστικό της πλεονέκτημα στην παγκόσμια αγορά μνημών.
Δείτε παρακάτω ένα χρονολόγιο με την εξέλιξη της ανάπτυξης των DRAM κινητών συσκευών της εταιρείας τα τελευταία χρόνια:
| Date | Capacity | Mobile DRAM |
| July 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| June 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Feb. 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| April 2018 | 8GB (development) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| Sept. 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Aug. 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| Dec. 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Sept. 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Nov. 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| July 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| April 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Aug. 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |
Ακολουθήστε το Gizchina Greece στο Google News για να μαθαίνετε πρώτοι και άμεσα, όλα τα τεχνολογικά νέα! Αν ψάχνετε HOT προσφορές, κάντε εγγραφή στο κανάλι μας στο Telegram!
