Βαθμολογήστε το άρθρο

Μετά τη κυκλοφορία των 12GB LPDDR4X DRAM στις αρχές του τρέχοντος έτους, η Samsung ξεκίνησε τώρα την μαζική παραγωγή των πρώτων παγκοσμίως 12 Gigabit (Gb) LPDDR5 DRAM chips για κινητές συσκευές. Η επίσημη ανακοίνωση του κορεάτη γίγαντα έγινε νωρίτερα σήμερα μέσω δελτίου τύπου που αναρτήθηκε στο επίσημο site της εταιρείας, όπου αναγγέλλει ότι ξεκίνησε να παράγει μαζικά τα νέα 12GB LPDDR5 DRAM. Samsung

Στο δελτίο τύπου η εταιρεία περιγράφει λεπτομερώς το νέο επίτευγμα και τις τεχνικές προδιαγραφές. Η Samsung ισχυρίζεται ότι η νέα γενιά LPDDR5X RAM έχει ταχύτητες δεδομένων 5.500Mb/sec, ταχύτερη από την LPDDR4X RAM που υποστηρίζει 4266Mb/s.

«Με το πακέτο των 12GB, το LPDDR5 μπορεί να μεταφέρει 44GB δεδομένων ή περίπου 12 ταινίες Full HD (μεγέθους 3,7GB) σε μόλις ένα δευτερόλεπτο», σημειώνει η Samsung.

Το νέας γενιάς DRAM chip χρειάζεται επίσης λιγότερη ενέργεια, με αποτέλεσμα να πετυχαίνει έως και 30% λιγότερη κατανάλωση ενέργειας. Τα νέα δομοστοιχεία θα βοηθήσουν επίσης στη καλύτερη λειτουργία των premium smartphones σε εφαρμογές τεχνολογίας αιχμής όπως τα βίντεο 5G, το AI, το UHD και τη μηχανική εκμάθηση. Φημολογείται ότι αυτή η νέα μονάδα DRAM μπορεί να εξοπλίζει μία από τις high-end παραλλαγές των επερχόμενων μοντέλων Galaxy Note 10.

Το δελτίο τύπου αναφέρει ότι η εταιρεία, προκειμένου να διαχειριστεί την παραγωγική ικανότητα με μεγαλύτερη ευελιξία, εξετάζει τη μεταφορά της παραγωγής των 12Gb LPDDR5 στην πανεπιστημιούπολη Pyeongtaek (Κορέα) από το επόμενο έτος, ανάλογα με τη ζήτηση των πελατών. Μετά την εισαγωγή της 12Gb LPDDR5 DRAM, η Samsung αναμένει επίσης να αναπτύξει ένα 16Gb LPDDR5 chip το επόμενο έτος, για να εδραιώσει το ανταγωνιστικό της πλεονέκτημα στην παγκόσμια αγορά μνημών.

Διαβάστε επίσης:  Realme 3: επίσημο με οθόνη 6,2 ιντσών και διπλή κάμερα, από 110 ευρώ

Δείτε παρακάτω ένα χρονολόγιο με την εξέλιξη της ανάπτυξης των DRAM κινητών συσκευών της εταιρείας τα τελευταία χρόνια:

 

Date Capacity Mobile DRAM
July 2019 12GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
June 2019 6GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
Feb. 2019 12GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
April 2018 8GB (development) 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
Sept. 2016 8GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Aug. 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
Dec. 2014 4GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
Sept. 2014 3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Nov. 2013 3GB 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
July 2013 3GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
April 2013 2GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Aug. 2012 2GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 1/2GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 512MB 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 256MB 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s