Βαθμολογήστε το άρθρο

Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι δημιούργησε την τρίτη γενιά μνήμης RAM, ονόματι eight-gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM με τεχνολογία ολοκλήρωσης στα 10nm(1z-nm) για πρώτη φορά στην ιστορία.

Η μαζική παραγωγή των αρθρωμάτων μνήμης 1z-nm 8Gb DDR4 θα ξεκινήσουν το δεύτερο μισό του τρέχοντος έτους και θα ενσωματωθούν στους επόμενης –γενιάς εταιρικούς servers και high-end PCs που θα πωλούνται μέσα στο 2020.

Η παραγωγή εκ μέρους της Samsung των αρθρωμάτων μνήμης στα 10nm ανοίγει τον δρόμο για την επιτάχυνση της μετάβασης της παγκόσμιας βιομηχανίας ΙΤ στην επόμενη γενιά μνημών. Αυτή περιλαμβάνει τις μνήμες τεχνολογίας DDR5, LPDDR5 και GDDR6.Συμπλέοντας με τις ανάγκες της βιομηχανίας, η Samsung σχεδιάζει να αυξήσει την παραγωγή μνημών στο εργοστάσιο που διαθέτει στο Pyeongtaek.

Διαβάστε επίσης:  Αργεί το Android 8 Oreo update για αρκετά Samsung Galaxy μοντέλα

Ο Jung-bae Lee, executive vice president της τεχνολογίας DRAM και των αντίστοιχων προϊόντων στην Samsung Electronics είπε:

Η δέσμευση μας να ανταπεξέλθουμε στις μεγαλύτερες προκλήσεις στην τεχνολογία μας οδηγούσε πάντα να κάνουμε μεγαλύτερες καινοτομίες. Μετά χαράς ανοίξαμε το μονοπάτι για ακόμα μια φορά, προς την σταθερή παραγωγή της επόμενης γενιάς μνήμης DRAM, εξασφαλίζοντας υψηλότερες επιδόσεις σε συνδυασμό με μεγαλύτερη αποδοτικότητα. Καθώς προχωράμε στην παραγωγή της 1z-nm μνήμης, στόχος της Samsung είναι να υποστηρίξει τους πελάτες της ανά τον κόσμο καθώς θα θέτουν σε κυκλοφορία τα κορυφαία συστήματά τους.

 

[Πηγή] :

FoneArena