Βαθμολογήστε το άρθρο

Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή της δεύτερης γενιάς της 10-nanometer class 8Gb DDR4 DRAMM. Η νέα γενιά μνήμης RAM 10nm είναι περίπου 10% ταχύτερη και κατά 15% αποδοτικότερη από την προηγούμενη. Η νέα 8GbDDR4 μπορεί να λειτουργεί με 3.600 megabit ανά δευτερόλεπτο ανά pin σε σύγκριση με τα 3.200 Mbps της προηγούμενης γενιάς. Όλα αυτά σημαίνουν ότι η Samsung φτιάχνει μια γερή βάση, πάνω στην οποία σύντομα θα ξεκινήσει την ανάπτυξη και παραγωγή νέας και ταχύτερης μνήμης RAM που θα χρησιμοποιηθεί σε smartphones, φορητούς υπολογιστές, υπολογιστές, smartwatches και όλα τα είδη έξυπνων συσκευών.

[Πηγή] :

Gsmarena