Η αποθήκευση των κινητών τηλεφώνων εξελίχθηκε εκθετικά τα τελευταία χρόνια. Από τις ημέρες των 4GB ενσωματωμένης μνήμης έως τις τρέχουσες των 256GB έχει γίνει ένα τεράστιο άλμα. Το επόμενο έτος, θα να δούμε να διπλασιάζεται η διαθέσιμη αποθήκευση καθώς Samsung έχει ανακοινώσει ότι έχει αρχίσει την κατασκευή flash μνήμης στα τηλέφωνα με χώρο 512GB! Η ανακοίνωση έγινε χθες στη Νότια Κορέα. Σύμφωνα με τον Αντιπρόεδρο της Samsung για Memory Sales & Marketing, Jaesoo Han, «Με τη διασφάλιση μιας έγκαιρης, σταθερής προμήθειας αυτού του προηγμένου ενσωματωμένου χώρου αποθήκευσης, η Samsung κάνει ένα μεγάλο βήμα προς τα εμπρός συμβάλλοντας στην έγκαιρη κυκλοφορία κινητών συσκευών νέας γενιάς από κατασκευαστές κινητών τηλεφώνων σε όλο τον κόσμο.»
Η νέα μονάδα αποθήκευσης flash (eUFS) θα διαθέτει τσιπ 512 gigabit V-NAND της εταιρίας και θα ξεπεράσει τους τρέχοντες περιορισμούς που θέτει η χρήση καρτών MicroSD. Το νέο 512GB UFS αυξάνει την πυκνότητα του αποθηκευτικού χώρου των 256GB eUFS από 48 σε 64 στρώματα και περιλαμβάνει επίσης τσιπ ελέγχου. Η Samsung χρησιμοποιεί επίσης μια δέσμη νέων τεχνολογιών για την αύξηση της απόδοσης και της ενεργειακής απόδοσης. Το τσιπ ελέγχου βοηθά επίσης στην επιτάχυνση της διαδικασίας που μετατρέπει τις διευθύνσεις λογικών μπλοκ σε φυσικά μπλοκ.
