Βαθμολογήστε το άρθρο

Αυτή τη στιγμή, τα κορυφαία chipsets κατασκευάζονται με αρχιτεκτονική 10nm. Η Samsung συγκαταλέγεται στους κατασκευαστές που προσπαθούν να ξεπεράσουν αυτό το στόχο φτάνοντας στα 4nm. Όσο μικρότερο είναι το μέγεθος της διαδικασίας παραγωγής, τόσο πιο ισχυρό και ενεργειακά αποδοτικό είναι το τσιπ, καθώς μπορούν να τοποθετηθούν περισσότερα τρανζίστορ στον ίδιο χώρο. Αυτό σχετίζεται με το νόμο του Gordon Moore, συνιδρυτή της Intel, το 1965. Ο νόμος καθορίζει ότι ο αριθμός των τρανζίστορ ανά τετραγωνική ίντσα σε ολοκληρωμένα κυκλώματα διπλασιάζεται κάθε δύο χρόνια.

4nm

Η Samsung έχει εκπονήσει ένα roadmap που δείχνει πώς σχεδιάζει να προχωρήσει από την τρέχουσα διαδικασία των 10nm στα 4nm. Σύμφωνα με μια παρουσίαση που έγινε στο Samsung Foundry Forum, το επόμενο βήμα της Samsung είναι να παράγει μικροεπεξεργαστές στα  8nm χρησιμοποιώντας τη διαδικασία ‘Low Power Plus’.

Η διαδικασία 8nm Lower Power Plus είναι η πρώτη που χρησιμοποιεί την λιθογραφία ‘Extreme Ultra Violet’, η οποία χρησιμοποιείται για τη χάραξη του σχεδίου κυκλώματος σε δίσκο πυριτίου. Μέχρι τη στιγμή που η Samsung θα φτάσει στη διαδικασία 6nm Low Power Plus, θα χρησιμοποιήσει μια νέα διαδικασία ‘Smart Scaling’ που θα προσφέρει οφέλη εξαιρετικά χαμηλής ισχύος.

4nm

Από εκεί, η Samsung λέει ότι θα πέσει κάτω στη διαδικασία 5nm Low Power Plus και μετά στα 4nm. Η διαδικασία 4nm Low Power Plus θα είναι η πρώτη που θα χρησιμοποιήσει μια αρχιτεκτονική συσκευών, επόμενης γενιάς, που ονομάζεται Multi Bridge Channel FET. Αυτή είναι η τεχνολογία Gate All Around FET της Samsung που έχει σχεδιαστεί για να αντιμετωπίσει τους περιορισμούς φυσικής κλίμακας και επιδόσεων της FinFET αρχιτεκτονικής.

Για να πάρει από τα 10nm στα 4nm, πρόκειται να πάρει χρόνο, και θα υπάρξουν εμπόδια και προβλήματα στην πορεία. Όμως, καθώς η Samsung συνεχίζει να ελέγχει κάθε στάση στην πορεία προς τα τσιπ 4nm, οι καταναλωτές θα απολαμβάνουν ταχύτερες επιδόσεις στις κινητές συσκευές τους, ενώ θα καταναλώνουν λιγότερη ενέργεια.

4nm

[Πηγή] :

Phonearena