Λίγους μόλις μήνες μετά την ανακοίνωση και εν συνεχεία την κυκλοφορία του τελευταίου και πιο ισχυρού SoC της Qualcomm, Snapdragon 835, οι ειδήσεις επικεντρώνονται στο γεγονός ότι ο κορυφαίος κατασκευαστής chipset εργάζεται ήδη πάνω στη δημιουργία του επόμενου κορυφαίο flagship chip της που θα ονομαζόταν Snapdragon 845. Στο ίδιο πνεύμα, η Huawei λέγεται ότι δουλεύει πάνω στο δικό της κορυφαίο SoC επόμενης γενιάς το οποίο στην πραγματικότητα προορίζεται να αντιμετωπίσει το Snapdragon 835. Το chip της Huawei πιθανότατα θα γίνει γνωστό με την ονομασία Hisilicon Kirin 970.

Μέχρι τώρα, έχουν εμφανιστεί πολλές διαρροές που αναφέρονται σε λεπτομέρειες για τα Snapdragon 845 και Kirin 970. Τώρα, εμφανίστηκε ένα φύλλο προδιαγραφών που περιέχει τις βασικές προδιαγραφές των SoC, SD 845 και Kirin 970. Ο κατάλογος δείχνει ότι τόσο το Snapdragon 845 όσο και το Kirin 970 θα κατασκευαστούν με τη διαδικασία των 10nm, αλλά ενώ το Kirin 970 θα κατασκευαστεί με τη διαδικασία FinFET της TSMC, το επόμενο flagship chip της Qualcomm θα κατασκευαστεί με τη διαδικασία LPE της Samsung. Προηγούμενες φήμες έλεγαν ότι το SD 845 θα κατασκευαστεί με μια νέα διαδικασία της TSMC των 7nm, αλλά αυτό απεδείχθη τελικά αναληθές.

Στις βασικές προδιαγραφές τους, το Snapdragon 845 φαίνεται να έχει έναν οκταπύρηνο επεξεργαστή που αποτελείται από τέσσερις πυρήνες Cortex-A75 και τέσσερις πυρήνες Cortex-A53. Θα συνοδεύεται από την GPU Adreno 630, καθώς και από X20 baseband και μια συστοιχία φορέων 5X20MHz. Ο επεξεργαστής αυτός έχει προγραμματιστεί να κυκλοφορήσει το πρώτο τρίμηνο του 2018. Από την άλλη πλευρά, ο CPU του Kirin 970 λέγεται ότι έχει αναβαθμιστεί σε μια νέας γενιάς πυρήνων ARM Cortex-A73 και θα είναι ο πρώτος που θα χρησιμοποιήσει την ARM Heimdallr MP (Heimdal) GPU. Το Kirin 970 θα κυκλοφορήσει μέσα στο τρίτο με τέταρτο τρίμηνο του τρέχοντος έτους.

[Πηγή] :

Gizmochina