Η Qualcomm ανέβηκε στην σκηνή του CES 2017 και, όπως συνηθίζει, ανακοίνωσε άλλο ένα βασικό και απαραίτητο εξάρτημα για τον κλάδο των smartphones. Η Qualcomm ανακοίνωσε το Snapdragon 835 που θα διαδεχθεί το πολύ επιτυχημένο Snapdragon 820. Θα είναι το πρώτο SoC κατασκευής Qualcomm που παράγεται εμπορικά χρησιμοποιώντας τη διαδικασία FinFET 10nm. Το Snapdragon 835 είναι χτισμένο έχοντας κατά νου την υποστήριξη συστημάτων εικονικής πραγματικότητας (VR), καθώς και την ικανότητα να τρέξει συστήματα φορητών υπολογιστών με πλήρη υποστήριξη λογισμικού Windows 10.

Το νέο chip χρησιμοποιεί την ίδια αρχιτεκτονική CPU, Kryo που βρίσκουμε και στα Snapdragon 82X, αν και θα υπάρχουν 4 επιπλέον πυρήνες Kryo 280, που εστιάζουν στην αποδοτική λειτουργία πάνω από τους 4 πυρήνες επιδόσεων που είναι χρονισμένοι έως τα 2.45GHz. Αντίθετα, οι άλλοι πυρήνες επιπλέον απόδοσης, θα είναι χρονισμένοι στα 1.9GHz. Επιπλέον, το 835 είναι περίπου 35% μικρότερο σε μέγεθος και καταναλώνει 25% λιγότερη ενέργεια, κάτι που, θεωρητικά, μεταφράζεται σε καλύτερη διάρκεια ζωής της μπαταρίας.

Στον τομέα των γραφικών, την Adreno 530 διαδέχεται η Adreno 540 GPU, η οποία υποστηρίζει τα OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, API Vulkan, καθώς και DirectX 12. Όλα αυτά τα υποστηριζόμενα γραφικά εξασφαλίζουν μια εμπειρία υψηλής απόδοσης γραφικών στα απαιτητικά παιχνίδια κινητών και στις τεχνολογίες VR / AR.

Με το Snapdragon 835 θα δούμε περίπου 25% αύξηση στην απόδοση των γραφικών και θα υποστηρίζει την καταγραφή 4K (UHD) βίντεο στα 30fps με 60fps, και αναπαραγωγή 4K. Το 835 επίσης θα υποστηρίξει επίσημα την πλατφόρμα Daydream VR της Google. Η επεξεργασία εικόνας έχει επίσης βελτιωθεί με το Snapdragon 835 να επιτρέπει στους κατασκευαστές τηλεφώνων να παράγουν συσκευές με κάμερες μέχρι 32MP, ή διπλές φωτογραφικές μηχανές των 16MP.

Θα ενσωματωθεί μια σειρά από χαρακτηριστικά ασφαλείας, στο Snapdragon 835 κάτι που η εταιρεία αποκαλεί «Πλατφόρμα Ασφάλειας Qualcomm Haven». Ουσιαστικά, έχει βελτιωθεί η ασφάλεια των βιομετρικών (ο έλεγχος ταυτότητας μέσω δακτυλικού αποτυπώματος ή της σάρωσης της ίριδας) με την υποστήριξη της πιστοποίησης από την πλευρά του hardware.

Το μόντεμ X16 LTE κάνει επίσης το ντεμπούτο του στο Snapdragon 835. Παρέχει επίσης υποστήριξη για Cat. 16 ταχύτητες λήψης (1 Gbps, θεωρητικά) και Cat. 13 ταχύτητες αποστολής (150 Mbps, θεωρητικά). Ομοίως, το 835 είναι το πρώτο εμπορικό chip που έχει πιστοποιηθεί επίσημα για το Bluetooth 5.0 με μέγιστη ταχύτητα μεταφοράς μέχρι και 2 Mbps.

Το ντεμπούτο του κάνει επίσης η τεχνολογία ταχείας φόρτισης Quick Charge 4.0 η οποία θα είναι περίπου 20% πιο γρήγορη και έως 30% πιο αποτελεσματική από ότι το Quick Charge 3.0. Δεν υπάρχει κάποια πληροφορία για το αν τα Quick Charge 3.0 και 4.0 θα είναι συμβατά μεταξύ τους. Ένα καλό πράγμα για το QC 4 είναι ότι θα υποστηρίξει USB-C Power Delivery. Χωρίς να υπάρχει ακόμα ένα κατάλληλο στάνταρ πρότυπο φόρτισης από USB-C, αυτό αποδεικνύεται ως ο τέλειος συγχρονισμός για το νέο πρότυπο.

Το Snapdragon 835 είναι σήμερα σε φάση μαζικής παραγωγής και αναμένεται να δούμε αυτά τα chip να βρίσκουν το δρόμο τους προς τις συσκευές που θα κυκλοφορήσουν το πρώτο εξάμηνο του έτους. Το Snapdragon 835 φέρνει πολλές πραγματικά μεγάλες δυνατότητες και βελτιώσεις στην πλατφόρμα, έτσι θα είναι πραγματικά συναρπαστικό να δούμε τι θα δημιουργήσουν οι κατασκευαστές τηλεφώνων βασιζόμενοι σε αυτόν τον επεξεργαστή.

[Πηγή] :