Βαθμολογήστε το άρθρο

Πολλές φορές, μεγάλες εταιρείες όπως οι Sasmsung, Apple, Google και Microsoft, μηνύουν η μία την άλλη για παραβίαση πατεντών, π.χ. τεχνολογία FinFET. Συνήθως, οι μηνύσεις έχουν απότομο τέλος αφού μία εκ των δύο εταιρειών συμφωνεί να πληρώσει για τις πράξεις της.

FinFET

 

Αυτή την φορά, τα θύματα είναι η Samsung και η Qualcomm αφού ο κορεάτικος κολοσσός φαίνεται να αντιμετωπίζει αγωγή για παραβίαση πατεντών σχετικά με την τεχνολογία FinFET. Η Samsung δηλώνει τόσο περήφανη για την τεχνολογία FinFET ώστε να την χρησιμοποιήσει στην κατασκευή του επερχόμενου επεξεργαστή της Qualcomm, τον Snapdragon 835.

Σύμφωνα με τα κορεάτικα μέσα ενημέρωσης, το κορεάτικο ινστιτούτο προηγμένων επιστημών και τεχνολογίας (KAIST), που εδρεύει στις ΗΠΑ, σκοπεύει να ασκήσει μήνυση στην Samsung πάνω στην τεχνολογία FinFET.

Η KAIST υποστηρίζει ότι ανέπτυξε πρώτη την τεχνολογία 10nm FinFET, επρόκειτο να χρησιμοποιηθεί στον νέο επεξεργαστή Snapdragon, αλλά η τεχνολογία κλάπηκε από την Samsung.

FinFET

 

Συγκεκριμένα, η Samsung προσκάλεσε τον δημιουργό της FinFET, Lee Jong-ho, να παρουσιάσει στους μηχανικούς της Samsung τον τρόπο λειτουργίας της νέας πατέντας. Όμως, ο Lee Jong-ho εργάζεται ως καθηγητής στο Εθνικό Πανεπιστήμιο της Σεούλ που αποτελεί επίσημο συνεργάτη της KAIST.

Σας παραθέτουμε την επίσημη θέση της KAIST :

«Samsung was able to reduce the development time and cost by copying Lee’s invention without costs. (Samsung) has continued copying Lee’s invention without authority or proper compensation. »

Οι Samsung και Qualcomm βρίσκονται σε δύσκολη θέση αφού η Intel έχει αναγνωρίσει την KAIST ως επίσημο δημιουργό της τεχνολογίας FinFET και έχει εξασφαλίσει τις απαραίτητες άδειες για την χρησιμοποίησή της. Καμία από τις δύο εταιρείες δεν έχει λάβει νόμιμη άδεια για την εν λόγο πατέντα. Τέλος, στο νομικό στόχαστρο της KAIST για παραβίαση πατεντών, υπάρχουν πολλές εταιρείες συμπεριλαμβανομένου της TSMC.

 

 

[Πηγή] :

Phone Arena